SD56120M

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

14 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

65 V

Guadagno:

13 dB

Potenza di uscita:

120 W

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

M252

Confezione:

Tubo

Configurazione:

Dual

Altezza:

5.33 mm

Lunghezza:

22.05 mm

Frequenza operativa:

1 GHz

Serie:

SD56120

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Larghezza:

9.91 mm

Marca:

STMicroelectronics

Transconduttanza diretta - Min:

3 S

Modalità canale:

Aumento

Pd - Dissipazione di potenza:

236 W

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

60

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Tags

SD5612, SD561, SD56, SD5