DMTH6004SCTB-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

100 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.9 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

95.4 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

4.7 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

4.82 mm

Lunghezza:

10.66 mm

Serie:

DMTH6004

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

9.65 mm

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

-

Tempo di caduta:

12 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

11.7 ns

Quantità confezione di fabbrica:

800

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

31 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

13.2 ns

Unità di peso:

0.068654 oz

Tags

DMTH6004S, DMTH6004, DMTH600, DMTH60, DMTH6, DMTH, DMT