2SC5729T106Q

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

30 V

Collettore-tensione di base VCBO:

30 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Corrente massima del collettore CC:

0.5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

300 MHz

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

120 at 50 mA, 2 V

Altezza:

0.8 mm

Lunghezza:

2 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.25 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Corrente continua del collettore:

0.5 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

120

Pd - Dissipazione di potenza:

200 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000988 oz

Tags

2SC5729, 2SC572, 2SC57, 2SC5, 2SC