ZXTN19060CFFTA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23F-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

60 V

Collettore-tensione di base VCBO:

160 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

7 V

Corrente massima del collettore CC:

5.5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

130 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

ZXTN190

Guadagno di corrente CC hFE Max:

200

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

3 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.7 mm

Marca:

Diodi incorporati

Guadagno base/collettore DC hfe min:

200 at 100 mA, 2 V, 160 at 2 A, 2 V, 30 at 6 A, 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

2000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Tags

ZXTN1906, ZXTN190, ZXTN19, ZXTN1, ZXTN, ZXT