DMS3014SFGQ-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PowerDI3333-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

9.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

9 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

45.7 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.1 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

6.6 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

24.4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

33.1 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5.5 ns

Tags

DMS3014SF, DMS3014, DMS301, DMS30, DMS3, DMS