SP8M8FU6TB

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOP-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

6 A, 4.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

30 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.5 mm

Lunghezza:

5 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Larghezza:

4.4 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

13 ns, 25 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

21 ns, 25 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

36 ns, 60 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9 ns, 10 ns

Parte # Alias:

SP8M8

Unità di peso:

0.030018 oz

Tags

SP8M8F, SP8M8, SP8M, SP8