D3S190N65E-T

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

D3 Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Rds On - Resistenza Drain-Source:

190 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

28 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

D3

Tempo di caduta:

21 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

800

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

57 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9 ns

Tags

D3S19, D3S1, D3S