NTJD2152PT4G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

8 V

Id - Corrente di scarico continua:

775 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

510 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

270 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.9 mm

Lunghezza:

2 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Tipo di transistor:

2 P-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

1.25 mm

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

2 S

Tempo di caduta:

23 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

23 ns

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

50 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

13 ns

Unità di peso:

0.000265 oz

Tags

NTJD2152PT, NTJD2152, NTJD2, NTJD, NTJ