FDN5632N-F085

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SSOT-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

98 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.1 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Nome depositato:

UltraFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.12 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

FDN5632N_F085

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET a trincea di potenza

Larghezza:

1.4 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Tempo di caduta:

1.3 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

1.7 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

5.2 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

15 ns

Parte # Alias:

FDN5632N_F085

Unità di peso:

0.001058 oz

Tags

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