SI7116DN-T1-E3

Mfr. #:: SI7116DN-T1-E3
Produttore:: Vishay
Descrizione:: MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8
Ciclo vitale:: Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:: SI7116DN-T1-E3 Scheda dati
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Produttore: Vishay Siliconix

categoria di prodotto: FET - Single

Serie: TrinceaFETR

Confezione: Imballaggio alternativo Digi-ReelR

Alias parziali: SI7116DN-E3

Stile di montaggio: SMD/SMT

Nome depositato: TrenchFET/PowerPAK

Pacchetto-Custodia: PowerPAKR 1212-8

Tecnologia: si

Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio: Montaggio superficiale

Numero di canali: 1 Channel

Pacchetto-dispositivo-fornitore: PowerPAKR 1212-8

Configurazione: Separare

Tipo FET: MOSFET N-Channel, ossido di metallo

Potenza-Max: 1.5W

Tipo a transistor: 1 N-Channel

Drain-to-Source-Voltage-Vdss: 40V

Ingresso-Capacità-Ciss-Vds: -

Funzione FET: Standard

Corrente-Continuo-Scarico-Id-25°C: 10.5A (Ta)

Rds-On-Max-Id-Vgs: 7.8 mOhm @ 16.4A, 10V

Vgs-th-Max-Id: 2.5V @ 250μA

Gate-Carica-Qg-Vgs: 23nC @ 4.5V

Pd-Power-Dissipazione: 3.8 W

Massima temperatura di esercizio: + 150 C

Temperatura di esercizio minima: - 55 C

Tempo di caduta: 15 ns

Ora di alzarsi: 15 ns

Vgs-Gate-Source-Voltage: 20 V

Id-Continuo-Scarico-Corrente: 16.4 A

Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage: 40 V

Rds-On-Drain-Source-Resistenza: 7.8 mOhms

Polarità del transistor: Canale N

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico: 55 ns

Tempo di ritardo all'accensione tipico: 15 ns

Transconduttanza diretta-Min: 68 S

Modalità canale: Aumento

Tags: SI7116DN-T, SI7116D, SI7116, SI711, SI71, SI7

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Market price

Parte #	Mfg.	Descrizione	Azione	Prezzo
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