PBHV9050T,215

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 500 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 500 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 6 V

Corrente massima del collettore CC:

- 0.5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

50 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

300

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

3 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.4 mm

Marca:

Nexperia

Corrente continua del collettore:

- 0.15 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

80

Pd - Dissipazione di potenza:

300 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.035274 oz

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