SIHF640S-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

200 V

Id - Corrente di scarico continua:

18 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

180 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

70 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

130 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Altezza:

4.83 mm

Lunghezza:

10.67 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

9.65 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

6.7 S

Tempo di caduta:

36 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

51 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

45 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

14 ns

Tags

SIHF64, SIHF6, SIHF, SIH