IXTH12N65X2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

12 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

300 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

17.7 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

180 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

HiPerFET

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

IXYS

Tempo di caduta:

16 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

24 ns

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

52 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

23 ns

Tags

IXTH12N, IXTH12, IXTH1, IXTH, IXT