NTD5865N-1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

38 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

14 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

23 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

52 W

Configurazione:

Separare

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

6.9 S

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

75

sottocategoria:

MOSFET

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

NTD5865, NTD586, NTD58, NTD5, NTD