C3M0120090J-TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Cree, Inc.

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

SiC

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-7

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

900 V

Id - Corrente di scarico continua:

22 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

170 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.8 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

18 V, - 8 V

Qg - Carica cancello:

17.3 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

83 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Prodotto:

MOSFET di potenza

Tipo:

MOSFET al carburo di silicio

Marca:

Wolfspeed / Cree

Transconduttanza diretta - Min:

6.7 S

Tempo di caduta:

5 ns

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

9 ns

Quantità confezione di fabbrica:

800

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

15 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

12.5 ns

Unità di peso:

0.056438 oz

Tags

C3M01200, C3M01, C3M0, C3M