BLV11

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore avanzato, Inc.

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari RF

RoHS:

Y

Tipo di transistor:

Potenza bipolare

Tecnologia:

si

Polarità del transistor:

NPN

Guadagno base/collettore DC hfe min:

10

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

18 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

4 V

Corrente continua del collettore:

3 A

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Stile di montaggio:

Montaggio a vite

Pacchetto/custodia:

SOT-123

Confezione:

Vassoio

Frequenza operativa:

250 MHz

Tipo:

Potenza bipolare RF

Marca:

Semiconduttore avanzato, Inc.

Corrente massima del collettore CC:

8 A

Pd - Dissipazione di potenza:

36 W

Tipologia di prodotto:

Transistor bipolari RF

sottocategoria:

transistor

Tags

BLV1, BLV