MJD32CT4-A

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

100 V

Collettore-tensione di base VCBO:

100 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

3 A

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

MJD32CT4-A

Altezza:

2.4 mm (Max)

Lunghezza:

6.6 mm (Max)

Confezione:

Bobina

Larghezza:

6.2 mm (Max)

Marca:

STMicroelectronics

Pd - Dissipazione di potenza:

15000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.063493 oz

Tags

MJD32CT4, MJD32CT, MJD32C, MJD32, MJD3, MJD