VN10KN3-G-P002

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

310 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

7.5 Ohms

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

5.33 mm

Lunghezza:

5.21 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.19 mm

Marca:

Tecnologia a microchip

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

MOSFET

Unità di peso:

0.016000 oz

Tags

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