NTLUD4C26NTAG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

UDFN-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

7.3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

21 mOhms, 21 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

600 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

5.5 nC, 5.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.7 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

23 S, 23 S

Tempo di caduta:

1.7 ns, 1.7 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

15 ns, 15 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

13 ns, 13 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5 ns, 5 ns

Unità di peso:

0.000300 oz

Tags

NTLUD, NTLU, NTL