DJT4030P-13

DJT4030P-13
Mfr. #:
DJT4030P-13
Produttore:
Diodes Incorporated
Descrizione:
Bipolar Transistors - BJT LOW VCE(SAT) PNP SMT
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
DJT4030P-13 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
DJT4030P-13 DatasheetDJT4030P-13 Datasheet (P4-P5)
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Diodi incorporati
Categoria di prodotto:
Transistor bipolari - BJT
RoHS:
Y
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
SOT-223-4
Polarità del transistor:
PNP
Configurazione:
Separare
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:
- 40 V
Collettore-tensione di base VCBO:
- 40 V
Emettitore-tensione di base VEBO:
- 6 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:
- 150 mV
Corrente massima del collettore CC:
- 3 A
Guadagno larghezza di banda prodotto fT:
150 MHz
Temperatura di esercizio minima:
- 55 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Serie:
DJT4030
Altezza:
1.6 mm
Lunghezza:
6.5 mm
Confezione:
Bobina
Larghezza:
3.5 mm
Marca:
Diodi incorporati
Corrente continua del collettore:
- 3 A
Pd - Dissipazione di potenza:
1200 mW
Tipologia di prodotto:
BJT - Transistor bipolari
Quantità confezione di fabbrica:
2500
sottocategoria:
transistor
Unità di peso:
0.003951 oz
Tags
DJT4030, DJT4, DJT
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***el Electronic
DIODES INC. DJT4030P-13 Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 40 V, 150 MHz, 1.2 W, 500 mA, 220 hFE
***ure Electronics
DJT4030P Series 40 V 3 A PNP Surface Mount Bipolar Transistor - SOT-223
***ical
Trans GP BJT PNP 40V 3A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
***ied Electronics & Automation
Low VCE(sat) PNP Transistor SOT-223
***ment14 APAC
TRANSISTOR, PNP, SOT223, 1.2W; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency Typ ft:150MHz; Power Dissipation Pd:1.2W; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:220; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:3; Collector Emitter Voltage Vces:150mV; Current Ic Continuous a Max:500mA; Gain Bandwidth ft Typ:150MHz; Hfe Min:220; Package / Case:SOT-223; Power Dissipation Pd:1.2W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Low Saturation (BISS)
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
DJT4030P-13
DISTI # DJT4030P-13-ND
Diodes IncorporatedTRANS PNP 40V 3A SOT-223
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 2500:$0.2095
DJT4030P-13
DISTI # DJT4030P-13
Diodes IncorporatedTrans GP BJT PNP 40V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R - Tape and Reel (Alt: DJT4030P-13)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 2500
Container: Reel
Americas - 60000
  • 2500:$0.1559
  • 5000:$0.1559
  • 10000:$0.1549
  • 15000:$0.1549
  • 25000:$0.1549
DJT4030P-13
DISTI # DJT4030P-13
Diodes IncorporatedTrans GP BJT PNP 40V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R (Alt: DJT4030P-13)
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape and Reel
Europe - 0
  • 2500:€0.2169
  • 5000:€0.1579
  • 10000:€0.1469
  • 15000:€0.1279
  • 25000:€0.1199
DJT4030P-13
DISTI # 70551223
Diodes IncorporatedLow VCE(sat) PNP Transistor SOT-223
RoHS: Compliant
0
  • 125:$0.2600
  • 250:$0.2300
  • 1250:$0.2100
  • 2500:$0.1900
DJT4030P-13
DISTI # 621-DJT4030P-13
Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT LOW VCE(SAT) PNP SMT
RoHS: Compliant
2277
  • 1:$0.4800
  • 10:$0.3980
  • 100:$0.2430
  • 1000:$0.1880
  • 2500:$0.1600
DJT4030P-13
DISTI # 8222501P
Zetex / Diodes IncLOW VCE(SAT) PNP TRANSISTOR SOT-223, RL2350
  • 125:£0.1880
  • 625:£0.1660
  • 1250:£0.1450
Immagine Parte # Descrizione
OPA1679IDR

Mfr.#: OPA1679IDR

OMO.#: OMO-OPA1679IDR

Operational Amplifiers - Op Amps QUAD AUDIO OP AMP
TLV271IDBVR

Mfr.#: TLV271IDBVR

OMO.#: OMO-TLV271IDBVR

Operational Amplifiers - Op Amps 550uA/Ch 3MHz R/R Op
BAT41KFILM

Mfr.#: BAT41KFILM

OMO.#: OMO-BAT41KFILM

Schottky Diodes & Rectifiers schottky diode
LSM6DSMTR

Mfr.#: LSM6DSMTR

OMO.#: OMO-LSM6DSMTR

IMUs - Inertial Measurement Units iNEMO 6DoF inertial module, for smart phones with OIS / EIS and AR/VR systems. Ultra-low power, high accuracy and stability
ESP32-WROOM-32

Mfr.#: ESP32-WROOM-32

OMO.#: OMO-ESP32-WROOM-32

WiFi Modules (802.11) SMD Module, ESP32-D0WDQ6, 32Mbits SPI flash, UART
865090349007

Mfr.#: 865090349007

OMO.#: OMO-865090349007

Aluminum Electrolytic Capacitors - SMD WCAP-ASLU 16V 100uF 20% ESR=887mOhms
CC0805KRX7R9BB104

Mfr.#: CC0805KRX7R9BB104

OMO.#: OMO-CC0805KRX7R9BB104

Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 100nF 50V X7R 10%
1266

Mfr.#: 1266

OMO.#: OMO-1266

Terminals TERMINAL .250X.032
ESP32-WROOM-32

Mfr.#: ESP32-WROOM-32

OMO.#: OMO-ESP32-WROOM-32-ESPRESSIF-SYSTEMS

SMD MODULE, ESP32-D0WDQ6, 32MBIT
TLV271IDBVR

Mfr.#: TLV271IDBVR

OMO.#: OMO-TLV271IDBVR-TEXAS-INSTRUMENTS

Operational Amplifiers - Op Amps 550uA/Ch 3MHz R/R Op
Disponibilità
Azione:
Available
Su ordine:
1991
Inserisci la quantità:
Il prezzo attuale di DJT4030P-13 è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
Prezzo di riferimento (USD)
Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
0,47 USD
0,47 USD
10
0,40 USD
3,98 USD
100
0,24 USD
24,30 USD
1000
0,19 USD
188,00 USD
Iniziare con
Prodotti più recenti
Top