2SD1768STPQ

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

80 V

Collettore-tensione di base VCBO:

100 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

1 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

100 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

120 at 500 mA, 3 V

Altezza:

3 mm

Lunghezza:

4 mm

Confezione:

Pacchetto munizioni

Larghezza:

2 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Corrente continua del collettore:

1 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

120

Pd - Dissipazione di potenza:

300 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

transistor

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2SD1768, 2SD176, 2SD17, 2SD1, 2SD