2N929A

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-18-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

60 V

Collettore-tensione di base VCBO:

60 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.5 V

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

45 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Serie:

2N929A

Guadagno di corrente CC hFE Max:

350 at 10 mA, 5 V

Confezione:

Massa

Marca:

Semiconduttore centrale

Corrente continua del collettore:

30 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

25 at 1 uA, 5 V

Pd - Dissipazione di potenza:

1.8 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

2N929A PBFREE

Tags

2N92, 2N9