RQ3E080BNTB

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

HSMT-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

11 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

14.5 nC

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

7 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

20 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Parte # Alias:

RQ3E080BN

Tags

RQ3E080B, RQ3E08, RQ3E0, RQ3E, RQ3