2SA1362-GR(T5L,F,T

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Pacchetto/custodia:

SOT-346-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

15 V

Collettore-tensione di base VCBO:

15 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

0.8 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

120 MHz

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2SA1362

Guadagno di corrente CC hFE Max:

200 at 100 mA, 1 V

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Larghezza:

1.5 mm

Marca:

Toshiba

Guadagno base/collettore DC hfe min:

200 at 100 mA, 1 V

Pd - Dissipazione di potenza:

200 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000423 oz

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2SA1362-GR, 2SA1362-G, 2SA1362, 2SA136, 2SA13, 2SA1, 2SA