BSO110N03MS G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

12.1 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

9.2 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

20 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.5 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

OptiMOS

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.75 mm

Lunghezza:

4.9 mm

Serie:

OptiMOS 3M

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

3.9 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

16 S

Tempo di caduta:

4.4 ns

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4.4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

9.5 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7.8 ns

Parte # Alias:

BSO110N03MSGXUMA1 BSO11N3MSGXT SP000446062

Unità di peso:

0.019048 oz

Tags

BSO110N03MSG, BSO110N03M, BSO110, BSO11, BSO1, BSO