BSC265N10LSF G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TDSON-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

40 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

20 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

21 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

78 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

OptiMOS

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.27 mm

Lunghezza:

5.9 mm

Serie:

OptiMOS 2

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

5.15 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

21 S

Tempo di caduta:

4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

24 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

20 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns

Parte # Alias:

BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N1LSFGXT SP000379618

Unità di peso:

0.003527 oz

Tags

BSC265N10LSFG, BSC265N1, BSC26, BSC2, BSC