2SD1835T

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Collettore-tensione di base VCBO:

60 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

150 mV

Corrente massima del collettore CC:

2 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

150 MHz

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2SD1835

Confezione:

Massa

Marca:

ON Semiconductor

Pd - Dissipazione di potenza:

750 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.007654 oz

Tags

2SD1835, 2SD183, 2SD18, 2SD1, 2SD