RQ5A030APTL

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-346-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

12 V

Id - Corrente di scarico continua:

3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

180 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

300 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

16 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.95 mm

Lunghezza:

3 mm

Prodotto:

MOSFET

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Tipo:

MOSFET di potenza

Larghezza:

1.8 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Transconduttanza diretta - Min:

3.5 S

Tempo di caduta:

60 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

40 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

160 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

11 ns

Parte # Alias:

RQ5A030AP

Unità di peso:

0.000423 oz

Tags

RQ5A03, RQ5A, RQ5