IPG20N06S2L50AATMA1

IPG20N06S2L50AATMA1
Mfr. #:
IPG20N06S2L50AATMA1
Produttore:
Infineon Technologies
Descrizione:
RF Bipolar Transistors MOSFET N-Ch 55V 20A TDSON-8
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
IPG20N06S2L50AATMA1 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
Tecnologie Infineon
categoria di prodotto
FET - Array
Serie
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS
Confezione
Nastro e bobina (TR)
Alias ​​parziali
IPG20N06S2L-50A SP001023842
Stile di montaggio
SMD/SMT
Pacchetto-Custodia
8-PowerVDFN
Tecnologia
si
Temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Montaggio superficiale
Numero di canali
2 Channel
Pacchetto-dispositivo-fornitore
PG-TDSON-8-10
Configurazione
Dual
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Potenza-Max
51W
Tipo a transistor
2 N-Channel
Drain-to-Source-Voltage-Vdss
55V
Ingresso-Capacità-Ciss-Vds
560pF @ 25V
Funzione FET
Porta livello logico
Corrente-Continuo-Scarico-Id-25°C
20A
Rds-On-Max-Id-Vgs
50 mOhm @ 15A, 10V
Vgs-th-Max-Id
2V @ 19μA
Gate-Carica-Qg-Vgs
17nC @ 10V
Pd-Power-Dissipazione
51 W
Massima temperatura di esercizio
+ 175 C
Temperatura di esercizio minima
- 55 C
Tempo di caduta
10 ns
Ora di alzarsi
3 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
20 V
Id-Continuo-Scarico-Corrente
20 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
55 V
Vgs-th-Gate-Sorgente-Soglia-Tensione
1.6 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
50 mOhms
Polarità del transistor
Canale N
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico
15 ns
Tempo di ritardo all'accensione tipico
2 ns
Qg-Gate-Carica
13 nC
Modalità canale
Aumento
Tags
IPG20N06S2, IPG20N06, IPG20N0, IPG20, IPG2, IPG
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ineon SCT
55V, Dual N-Ch, 50 mΩ max, Automotive MOSFET, dual SS08 (5x6), OptiMOS™, PG-TDSON-8, RoHS
***ical
Trans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
***ineon
Summary of Features: Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode; AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green Product (RoHS compliant); 100% Avalanche tested; Feasible for automatic optical inspection (AOI) | Benefits: Dual Super S08 can replace multiple DPAKs for significant PCB area savings and system level cost reduction.; Bond wire is 200um for up to 20A current; Larger source lead frame connection for wire bonding; Package: PG-TDSON-8-4; Same thermal and electrical performance as a DPAK with the same die size.; Exposed pad provides excellent thermal transfer (varies by die size); Two N-Channel MOSFETs in one package with 2 isolated leadframes | Target Applications: Direct Fuel Injection; ABS Valves; Solenoid control; Load Switches; LED and Body lighting
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
IPG20N06S2L50AATMA1
DISTI # IPG20N06S2L50AATMA1-ND
Infineon Technologies AGMOSFET 2N-CH 8TDSON
RoHS: Compliant
Min Qty: 5000
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 5000:$0.6169
IPG20N06S2L50AATMA1
DISTI # IPG20N06S2L50AATMA1
Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 55V 20A 8-Pin TDSON T/R - Tape and Reel (Alt: IPG20N06S2L50AATMA1)
RoHS: Compliant
Min Qty: 5000
Container: Reel
Americas - 0
  • 5000:$0.6069
  • 10000:$0.5849
  • 20000:$0.5639
  • 30000:$0.5449
  • 50000:$0.5349
IPG20N06S2L50AATMA1
DISTI # SP001023842
Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 55V 20A 8-Pin TDSON T/R (Alt: SP001023842)
RoHS: Compliant
Min Qty: 5000
Container: Tape and Reel
Europe - 0
  • 5000:€0.9489
  • 10000:€0.7959
  • 20000:€0.6649
  • 30000:€0.5789
  • 50000:€0.5429
IPG20N06S2L50AATMA1
DISTI # 726-IPG20N06S2L50AAT
Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 55V 20A TDSON-8
RoHS: Compliant
0
  • 1:$1.3800
  • 10:$1.1800
  • 100:$0.9070
  • 500:$0.8020
  • 1000:$0.6330
  • 5000:$0.5610
  • 10000:$0.5400
Immagine Parte # Descrizione
IPG20N06S4L-11

Mfr.#: IPG20N06S4L-11

OMO.#: OMO-IPG20N06S4L-11

MOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
IPG20N06S2L35AATMA1

Mfr.#: IPG20N06S2L35AATMA1

OMO.#: OMO-IPG20N06S2L35AATMA1

MOSFET MOSFET
IPG20N06S2L50AATMA1

Mfr.#: IPG20N06S2L50AATMA1

OMO.#: OMO-IPG20N06S2L50AATMA1

MOSFET N-Ch 55V 20A TDSON-8
IPG20N06S4L14ATMA2

Mfr.#: IPG20N06S4L14ATMA2

OMO.#: OMO-IPG20N06S4L14ATMA2-INFINEON-TECHNOLOGIES

MOSFET 2N-CH 8TDSON
IPG20N06S4L26AATMA1-CUT TAPE

Mfr.#: IPG20N06S4L26AATMA1-CUT TAPE

OMO.#: OMO-IPG20N06S4L26AATMA1-CUT-TAPE-1190

Nuovo e originale
IPG20N06S2L-35

Mfr.#: IPG20N06S2L-35

OMO.#: OMO-IPG20N06S2L-35-1190

MOSFET N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS
IPG20N06S2L65ATMA

Mfr.#: IPG20N06S2L65ATMA

OMO.#: OMO-IPG20N06S2L65ATMA-1190

Nuovo e originale
IPG20N06S3L-35

Mfr.#: IPG20N06S3L-35

OMO.#: OMO-IPG20N06S3L-35-INFINEON-TECHNOLOGIES

MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8
IPG20N06S415ATMA1

Mfr.#: IPG20N06S415ATMA1

OMO.#: OMO-IPG20N06S415ATMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

MOSFET 2N-CH 8TDSON
IPG20N06S4-15

Mfr.#: IPG20N06S4-15

OMO.#: OMO-IPG20N06S4-15-126

IGBT Transistors MOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
Disponibilità
Azione:
Available
Su ordine:
3000
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Il prezzo attuale di IPG20N06S2L50AATMA1 è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
Prezzo di riferimento (USD)
Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
0,80 USD
0,80 USD
10
0,76 USD
7,62 USD
100
0,72 USD
72,21 USD
500
0,68 USD
341,00 USD
1000
0,64 USD
641,90 USD
A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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