FDS8858CZ

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V, 60 V

Id - Corrente di scarico continua:

8.6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

17 mOhms, 20.5 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V, 25 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.6 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

PowerTrench

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.75 mm

Lunghezza:

4.9 mm

Serie:

FDS8858CZ

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Larghezza:

3.9 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

27 S / 21 S

Tempo di caduta:

3 ns, 16 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3 ns, 10 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

19 ns, 33 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7 ns, 9 ns

Unità di peso:

0.006596 oz

Tags

FDS8858C, FDS885, FDS88, FDS8, FDS