MMBTA13LT3G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor Darlington

RoHS:

Y

Configurazione:

Separare

Polarità del transistor:

NPN

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

30 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

10 V

Collettore-tensione di base VCBO:

30 V

Corrente massima del collettore CC:

0.3 A

Corrente massima di interruzione del collettore:

0.1 uA

Pd - Dissipazione di potenza:

225 mW

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23 (Pb-Free)

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

MMBTA13L

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.94 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Larghezza:

1.3 mm

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

300 mAdc

Guadagno base/collettore DC hfe min:

5000, 10000

Tipologia di prodotto:

Transistor Darlington

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000282 oz

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