MMBTH10M3T5G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-723-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

25 V

Collettore-tensione di base VCBO:

30 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

3 V

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

650 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

MMBTH10M3

Guadagno di corrente CC hFE Max:

60 at 4 mA, 10 V

Altezza:

0.5 mm

Lunghezza:

1.2 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

0.8 mm

Marca:

ON Semiconductor

Guadagno base/collettore DC hfe min:

60 at 4 mA, 10 V

Pd - Dissipazione di potenza:

640 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

8000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000045 oz

Tags

MMBTH10, MMBTH1, MMBTH, MMBT, MMB