FDPC1002S

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

Power-33-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

25 V

Id - Corrente di scarico continua:

12 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

7.3 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

19 nC, 60 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.6 W, 2 W

Configurazione:

Dual

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.8 mm

Lunghezza:

3.3 mm

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

3.3 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

97 S, 231 S

Tempo di caduta:

2 ns, 4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

2 ns, 5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

20 ns, 38 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7 ns, 13 ns

Unità di peso:

0.007327 oz

Tags

FDPC1, FDPC, FDP