STK850

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PolarPAK-10

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

30 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.9 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

16 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

5.2 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.8 mm

Lunghezza:

6.15 mm

Serie:

STK850

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET di potenza

Larghezza:

5.16 mm

Marca:

STMicroelectronics

Transconduttanza diretta - Min:

48 S

Tempo di caduta:

13 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

57 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

31 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

20 ns

Tags

STK85, STK8, STK