RN2315TE85LF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - Pre-polarizzati

RoHS:

Y

Configurazione:

Separare

Polarità del transistor:

PNP

Resistenza di ingresso tipica:

2.2 kOhms

Rapporto resistore tipico:

0.22

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SC-70

Guadagno base/collettore DC hfe min:

50

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Corrente continua del collettore:

- 100 mA

Corrente di picco del collettore CC:

100 mA

Pd - Dissipazione di potenza:

100 mW

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

RN2315

Confezione:

Bobina

Guadagno di corrente CC hFE Max:

50

Altezza:

0.9 mm

Lunghezza:

2 mm

Larghezza:

1.25 mm

Marca:

Toshiba

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari - Prepolarizzati

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000988 oz

Tags

RN2315T, RN2315, RN231, RN23, RN2