BSC882N03LS G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TDSON-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

34 V

Id - Corrente di scarico continua:

100 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.2 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

2 V

Qg - Carica cancello:

27 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

69 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.27 mm

Lunghezza:

5.9 mm

Serie:

BSC882N03

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

5.15 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

100 S

Tempo di caduta:

9.4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

9 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Parte # Alias:

BSC882N03LSGATMA1 BSC882N3LSGXT SP000686916

Unità di peso:

0.002677 oz

Tags

BSC882N03LSG, BSC882N03L, BSC882, BSC8, BSC