IXGA30N120B3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

1.2 kV

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2.96 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

60 A

Pd - Dissipazione di potenza:

300 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

IXGA30N120

Confezione:

Tubo

Corrente continua del collettore Ic Max:

150 A

Altezza:

4.83 mm

Lunghezza:

9.65 mm

Intervallo operativo di temperatura:

- 55 C to + 150 C

Larghezza:

10.41 mm

Marca:

IXYS

Corrente continua del collettore:

60 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

100 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

IGBT

Nome depositato:

GenX3

Unità di peso:

0.068654 oz

Tags

IXGA30N1, IXGA30, IXGA3, IXGA, IXG