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2SC5065-O(TE85L,F)

2SC5065-O(TE85L,F)
Mfr. #:
2SC5065-O(TE85L,F)
Produttore:
Toshiba
Descrizione:
Bipolar Transistors - BJT USM MM (HF) TRANSISTOR Pd=100mW F=1GHz
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
2SC5065-O(TE85L,F) Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
2SC5065-O(TE85L,F) Datasheet2SC5065-O(TE85L,F) Datasheet (P4-P6)2SC5065-O(TE85L,F) Datasheet (P7)
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Toshiba
Categoria di prodotto:
Transistor bipolari - BJT
Tecnologia:
si
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
SC-70-3
Polarità del transistor:
NPN
Configurazione:
Separare
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:
12 V
Collettore-tensione di base VCBO:
20 V
Emettitore-tensione di base VEBO:
3 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:
-
Corrente massima del collettore CC:
30 mA
Guadagno larghezza di banda prodotto fT:
7 GHz
Temperatura di esercizio minima:
- 55 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 125 C
Guadagno di corrente CC hFE Max:
240
Confezione:
Bobina
Marca:
Toshiba
Corrente continua del collettore:
30 mA
Guadagno base/collettore DC hfe min:
80
Pd - Dissipazione di potenza:
100 mW
Tipologia di prodotto:
BJT - Transistor bipolari
Quantità confezione di fabbrica:
3000
sottocategoria:
transistor
Tags
2SC5065-O(T, 2SC5065-O, 2SC5065, 2SC506, 2SC50, 2SC5, 2SC
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Step3:
Packaging Boxes
***nsix Microsemi
0.03A I(C) 1-Element Ultra High Frequency Band Silicon NPN
***i-Key
RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM
***hard Electronics
Bipolar Transistors - BJT Radio-Freq Bipolar 30mA 100mW 12V
***et
Trans GP BJT NPN 12V 0.03A 3-Pin USM T/R
***i-Key
RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM
***el Nordic
Contact for details
***roFlash
RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
***ark
Trans Gp Bjt Npn 16V 0.05A Automotive 3-Pin Sc-70 T/r Rohs Compliant: Yes
***nell
RF TRANSISTOR, NPN, 12V, 10GHZ, SOT-323; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 12V; Transition Frequency ft: 10GHz; Power Dissipation Pd: 450mW; DC Collector Current: 30mA; DC Current Gain hFE: 60hFE; RF Transistor Case: SOT-323; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
***et
Trans GP BJT NPN 12V 0.035A 3-Pin SC-70 T/R
*** Electronics
RF Bipolar Transistors Single NPN 12V 35mA 300mW 40 5GHz
***peria
BFR93AW - NPN 5 GHz wideband transistor
***i-Key
TRANS NPN 12V 35MA 5GHZ SOT323
***el Electronic
Voltage Regulators - Switching Regulators SWITCHING REGULATOR
***W
RF Transistor, NPN, 2 GHz, Max. Gain in dB is 18.5 @ 900 MHz, 3 pin SOT323, Silicon
***ure Electronics
BFU520W Series 12 V 30 mA 450 mW NPN Wideband Silicon RF Transistor - SOT-323-3
*** Stop Electro
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
***ical
Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
***enic
1nA 12V 450mW 5mA 95@5mA8V 10GHz NPN -40¡Í~+150¡Í@(Tj) SOT-323-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
***et
Transistor RF BJT NPN 24V 30mA 3-Pin SOT-323
***ment14 APAC
RF Transistor, NPN, 12V, 10GHZ, SOT-323; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:12V; Transition Frequency ft:10GHz; Power
***nell
RF TRANSISTOR, NPN, 12V, 10GHZ, SOT-323; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 12V; Transition Frequency ft: 10GHz; Power Dissipation Pd: 450mW; DC Collector Current: 30mA; DC Current Gain hFE: 60hFE; RF Transistor Case: SOT-323; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
***roFlash
Trans Rf NPN 10V 1GHZ Ssm
***
TRANSISTOR PD=150MW F=1MHZ
Immagine Parte # Descrizione
2SC5065-O(TE85L,F)

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OMO.#: OMO-2SC5065-O-TE85L-F-

 Bipolar Transistors - BJT USM MM (HF) TRANSISTOR Pd=100mW F=1GHz
2SC5065-O

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OMO.#: OMO-2SC5065-O-1190

 Nuovo e originale
2SC5065-O(TE85LF)CT-ND

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10
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2,65 USD
100
0,20 USD
19,60 USD
500
0,17 USD
83,00 USD
1000
0,13 USD
128,00 USD
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