MRF275G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

MACOM

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

26 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

65 V

Guadagno:

11.2 dB

Potenza di uscita:

150 W

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

375-04

Confezione:

Vassoio

Configurazione:

Dual

Frequenza operativa:

100 MHz to 500 MHz

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Marca:

MACOM

Pd - Dissipazione di potenza:

400 W

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

10

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

40 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Tags

MRF27, MRF2, MRF