BSC021N08NS5ATMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSON-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

80 V

Id - Corrente di scarico continua:

100 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.1 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

117 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

214 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

Optimos 5

Confezione:

Bobina

Serie:

BSC021N

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

70 S

Tempo di caduta:

20 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

17 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

44 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

13 ns

Parte # Alias:

SP001793410

Tags

BSC02, BSC0, BSC