STB22N60DM6

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

D2PAK-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

15 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

240 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3.25 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

20.6 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

130 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

35.6 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

6.4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

8 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

11.5 ns

Tags

STB22N, STB22, STB2, STB