IXTP18P10T

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

18 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

120 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

15 V

Qg - Carica cancello:

39 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

83 W

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

trincea

Confezione:

Tubo

Altezza:

16 mm

Lunghezza:

10.66 mm

Serie:

IXTP18P10

Tipo:

MOSFET di potenza TrenchP

Larghezza:

4.83 mm

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

8 S

Tempo di caduta:

22 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

26 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

44 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

19 ns

Unità di peso:

0.081130 oz

Tags

IXTP18, IXTP1, IXTP, IXT