NTGS1135PT1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSOP-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

8 V

Id - Corrente di scarico continua:

5.8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

100 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

6 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.6 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.94 mm

Lunghezza:

3 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Tipo:

MOSFET di potenza

Larghezza:

1.5 mm

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

1.2 S

Tempo di caduta:

3.9 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

16 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

128 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns

Unità di peso:

0.000705 oz

Tags

NTGS1, NTGS, NTG