SSM5N15FU,LF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-353-5

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

100 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.2 Ohms, 2.2 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

800 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

200 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

SSM5N15FU

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Toshiba

Transconduttanza diretta - Min:

25 mS, 25 mS

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

180 ns, 180 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

50 ns, 50 ns

Unità di peso:

0.000212 oz

Tags

SSM5N15FU, SSM5N15, SSM5N1, SSM5N, SSM5, SSM