IPN70R750P7SATMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-223-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

700 V

Id - Corrente di scarico continua:

6.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

620 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

16 V

Qg - Carica cancello:

8.3 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

6.7 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Tecnologie Infineon

Tempo di caduta:

27 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

60 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

12 ns

Parte # Alias:

IPN70R750P7S SP001664912

Tags

IPN70, IPN7, IPN