OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Ciao, accediIl mio account
0 Carrello

MG1250S-BA1MM

MG1250S-BA1MM
Mfr. #:
MG1250S-BA1MM
Produttore:
Littelfuse
Descrizione:
IGBT Modules 1200V 50A Dual
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
MG1250S-BA1MM Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
MG1250S-BA1MM maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Littelfuse
Categoria di prodotto:
Moduli IGBT
RoHS:
Y
Prodotto:
Moduli di silicio IGBT
Configurazione:
Dual
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:
1200 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:
1.8 V
Corrente continua del collettore a 25 C:
80 A
Corrente di dispersione gate-emettitore:
200 nA
Pd - Dissipazione di potenza:
500 W
Pacchetto/custodia:
Pacchi
Temperatura di esercizio minima:
- 40 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Confezione:
Massa
Serie:
MG1250S
Marca:
Littelfuse
Stile di montaggio:
Montaggio su telaio
Tensione massima dell'emettitore di gate:
20 V
Tipologia di prodotto:
Moduli IGBT
Quantità confezione di fabbrica:
100
sottocategoria:
IGBT
Unità di peso:
5.643834 oz
Tags
MG1250, MG125, MG12, MG1
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans IGBT Module N-CH 1200V 80A 500000mW 7-Pin Bulk
***i-Key
IGBT MODULE 1200V 80A 500W S3
***
1200V 50A S-PACKAGE
***ark
Igbt Module, Dual Npn, 1.2Kv, 80A; Transistor Polarity:dual Npn; Dc Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On):1.8V; Power Dissipation Pd:500W; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:1.2Kv; No. Of Pins:7Pins Rohs Compliant: Yes
Silicon IGBT Power Modules
Littelfuse Silicon IGBT Power Modules ensure high efficiency and fast switching by combining simple MOSFET gate-drive with the high current and low saturation voltage switching capability of bipolar transistors. These features make them well-suited for a wide range of power conversion applications. In addition, the positive temperature coefficient of the modules allows for ease in paralleling to boost the current capability of the system. The modules are rated up to 1700V and 600A in industry standard packages and common topologies.
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
MG1250S-BA1MM
DISTI # V36:1790_06451370		Littelfuse IncTrans IGBT Module N-CH 1.2KV 80A 7-Pin Bulk
RoHS: Compliant		0
    MG1250S-BA1MM
    DISTI # F6494-ND    		Littelfuse IncIGBT 1200V 80A 500W PKG S
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Bulk    		86In Stock
    • 100:$48.5771
    • 25:$50.9552
    • 10:$54.3520
    • 1:$57.7500
    MG1250S-BA1MM
    DISTI # 31Y2592    		Littelfuse IncIGBT MODULE, DUAL NPN, 1.2KV, 80A,Transistor Polarity:Dual NPN,DC Collector Current:80A,Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.8V,Power Dissipation Pd:500W,Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV,No. of Pins:7Pins RoHS Compliant: Yes0
    • 1000:$47.2300
    • 500:$48.5900
    • 250:$50.2800
    • 100:$52.6600
    • 50:$56.0600
    • 10:$63.8700
    • 1:$73.0400
    MG1250S-BA1MM
    DISTI # 576-MG1250S-BA1MM    		Littelfuse IncIGBT Modules 1200V 50A Dual
    RoHS: Compliant    		100
    • 1:$57.7600
    • 5:$56.7000
    • 10:$54.3600
    • 25:$52.6600
    • 50:$50.9600
    • 100:$48.5800
    MG1250S-BA1MMLittelfuse IncIGBT Modules 1200V 50A DualAmericas -
      Immagine Parte # Descrizione
      MG1250S-BA1MM

      Mfr.#: MG1250S-BA1MM

      OMO.#: OMO-MG1250S-BA1MM

      		 IGBT Modules 1200V 50A Dual
      MG1250H-XN2MM

      Mfr.#: MG1250H-XN2MM

      OMO.#: OMO-MG1250H-XN2MM

      		 IGBT Modules 1200V 50A IGBT
      MG1250W-XBN2MM

      Mfr.#: MG1250W-XBN2MM

      OMO.#: OMO-MG1250W-XBN2MM

      		 IGBT Modules 1200V 50A IGBT
      MG1250

      Mfr.#: MG1250

      OMO.#: OMO-MG1250-1190

      		 M3-ID Independent Dual 3D Printer, 450MM/S, 240VAC, 360W, Build Volume:203mm x 232mm x 203mm, Filament Diameter:1.75mm, 3D Print Speed Max:450mm/s, Layer Thickness / Resolution:0.35mm, Input Volt
      MG1250S-BA1MM

      Mfr.#: MG1250S-BA1MM

      OMO.#: OMO-MG1250S-BA1MM-LITTELFUSE

      		 IGBT Modules 1200V 50A Dual
      MG1250H-XN2MM

      Mfr.#: MG1250H-XN2MM

      OMO.#: OMO-MG1250H-XN2MM-LITTELFUSE

      		 IGBT Modules 1200V 50A IGBT
      MG1250W-XBN2MM

      Mfr.#: MG1250W-XBN2MM

      OMO.#: OMO-MG1250W-XBN2MM-LITTELFUSE

      		 IGBT Modules 1200V 50A IGBT
      Disponibilità
      Azione:
      Available
      Su ordine:
      1000
      Inserisci la quantità:
      Il prezzo attuale di MG1250S-BA1MM è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
      Prezzo di riferimento (USD)
      Quantità
      Prezzo unitario
      est. Prezzo
      1
      57,76 USD
      57,76 USD
      5
      56,70 USD
      283,50 USD
      10
      54,36 USD
      543,60 USD
      25
      52,66 USD
      1 316,50 USD
      50
      50,96 USD
      2 548,00 USD
      100
      48,58 USD
      4 858,00 USD
      A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
      Iniziare con
      Prodotti più recenti
      More Newest Products
      Top