DMN1019UVT-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSOT-26-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

12 V

Id - Corrente di scarico continua:

10.7 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

10 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

350 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

4.5 V

Qg - Carica cancello:

50.4 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.73 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

DMN1019

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

11.6 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3.7 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

32.2 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4.7 ns

Unità di peso:

0.000459 oz

Tags

DMN1019, DMN101, DMN10, DMN1, DMN