2N5859

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-39-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

40 V

Collettore-tensione di base VCBO:

80 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.7 V

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

250 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Serie:

2N5859

Guadagno di corrente CC hFE Max:

120

Confezione:

Massa

Marca:

Semiconduttore centrale

Corrente continua del collettore:

2 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

15

Pd - Dissipazione di potenza:

5 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

2N5859 PBFREE

Tags

2N585, 2N58, 2N5