IRFR9024NTRLPBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

55 V

Id - Corrente di scarico continua:

11 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

175 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

19 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

38 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Altezza:

2.3 mm

Lunghezza:

6.5 mm

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

6.22 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

2.5 S

Tempo di caduta:

37 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

55 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

23 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

13 ns

Parte # Alias:

SP001557198

Unità di peso:

0.016932 oz

Tags

IRFR9024NT, IRFR9024N, IRFR9024, IRFR902, IRFR90, IRFR9, IRFR, IRF