IXFA10N60P-TRL

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

10 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

740 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

5.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

32 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

200 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

HiPerFET

Confezione:

Bobina

Serie:

IXFA10N60P

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

6 S

Tempo di caduta:

21 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

27 ns

Quantità confezione di fabbrica:

800

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

21 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

23 ns

Unità di peso:

0.081130 oz

Tags

IXFA10N, IXFA10, IXFA1, IXFA, IXF